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    i20 IGBT芯片

    i20 IGBT芯片

    i20 IGBT和d20 FRD芯片,電壓/電流為1200V/250A,各項性能達到或超過了國際領軍企業的同類產品。 i20 IGBT芯片,采用FS-Trench結構,即正面精細溝槽+背面場截止,并通過N型增強、窄臺面、短溝道、超薄基底、優化P+、3D結構等多項優化設計,從而帶來了高達250A的卓越表現。





     

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