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    賽晶IGBT芯片、模塊開始量產及接受訂貨


    自2020年9月發布i20 IGBT芯片、ED-Type IGBT模塊等產品以來,在過去的一年里,賽晶亞太半導體科技(浙江)有限公司(以下簡稱“賽晶半導體”)本著精益求精的科技工匠精神,進行了全面的產品測試和優化,以及生產線建設和試產。

    今天,賽晶半導體非常高興的宣布:1200V/250A i20 IGBT芯片及d20FRD芯片,1200V/750A及600A ED-Type IGBT模塊等產品成功完成試產,已具備了批量供貨能力,并正式開始接受客戶訂貨。


    打破“缺芯”困局,共建國產IGBT良性發展生態圈


    IGBT,作為功率半導體的代表,被稱為大國重器,對電動汽車、新能源電力等國家重點新興產業發展和達成“雙碳”目標,具有重要的戰略意義。然而,中國雖然是全球最大的IGBT消費國,市場卻長期為國外企業所主導。特別是芯片領域,國內自給率極低。在中美貿易多變的背景下,加快國產化進程,促進中國成為IGBT產業強國,是每一個業內中國企業的責任和使命。

    賽晶半導體,希望通過出色的國產芯片產品和對外銷售芯片的舉措,打破國內嚴重依賴進口芯片的“缺芯”困局,與廣大業內企業共建國產IGBT良性發展生態圈,助力中國IGBT產業騰飛。


    i20 IGBT芯片和d20 FRD芯片


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    i20 IGBT和d20 FRD芯片,電壓/電流為1200V/250A,各項性能達到或超過了國際領軍企業的同類產品。

    i20 IGBT芯片,采用FS-Trench結構,即正面精細溝槽+背面場截止,并通過N型增強、窄臺面、短溝道、超薄基底、優化P+、3D結構等多項優化設計,從而帶來了高達250A的卓越表現。

    d20 FRD芯片,與i20 IGBT芯片一同研發,從而確保了FRD與IGBT的完美配合,以及芯片組的出色整體性能。此外,我們通過先進的發射極效率管理、優化的陽極擴散曲線和陰極緩沖區、優化的N-基底厚度與發射極和載流子壽命,以及特別設計的鏈接終端,實現了較低的FRD損耗,也降低了IGBT的通導損耗。

    在國外企業技術領先并主導市場的IGBT芯片領域,賽晶半導體是少數全部采用自有芯片進行模塊封裝的國內企業,更是目前極少數公開對外銷售自主技術IGBT芯片的國內企業。敢于直面市場的檢驗,這充分體現了賽晶半導體對產品卓越品質的高度自信。


    ED-Type IGBT模塊


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    ED-Type模塊,采用標準的“EconoDual”封裝設計,使用賽晶半導體i20和d20芯片組,推出了1200V/750A和1200V600A兩個型號產品。

    ED-Type模塊采用了“直線型”優化設計,大幅提升了均流表現,并在降低損耗的同時,提高了可靠性表現。

    源于卓越的i20和d20芯片組、出色的優化設計和工藝水平、嚴格的原材料選用和供應鏈管理、首屈一指的智能自動化制造生產線,ED-Type模塊與國外領域企業的同類產品對比中,表現出了更加優異的綜合性能。



    一往無前,賽晶半導體將再接再厲,加快開展1700V以及750V的精密溝槽和微溝槽IGBT芯片、碳化硅芯片,以及ED-Type、ST-Type和EV-Type等IGBT模塊的產品研發和生產線建設,為廣大客戶奉獻更多、更好的國產IGBT精品,助力中國“強芯夢”的早日實現。

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